Préampli guitare, basé sur un transistor FET de type BF245 ou BF256.
Très simple à construire, fonctionnement avec pile 9 V.
Contrairement au montage à FET appelé préampli guitare 005, celui présenté ici apporte du gain (quand tout va bien).
L'impédance d'entrée est principalement déterminée par la valeur de R1 et de R2, le transistor FET présentant une impédance d'entrée de plusieurs dizaines de Mohms. Elle est approximativement de 1 MO et correspond grosso-modo à la valeur même de R2. Le couplage entre capteur (micro) guitare et FET se fait de façon capacitive grâce au condensateur de liaison C1 qui associé à R2 forme un filtre passe-haut dont la fréquence de coupure est assez basse (environ 30 Hz à -3 dB avec une pente de 6dB / octave).
Le gain du préampli est déterminé par la valeur des résistances R4 et R3 respectivement situées dans les branches Drain (D) et Source (S) du transistor FET. Le potentiomètre RV1, qui assure une mise en parallèle plus ou moins prononcée du condensateur C2 sur la résistance R3, permet de rendre variable ce gain qui peut ainsi varier de quelque +15 dB à quelque +25 dB. Le gain maximum est obtenu quand le condensateur C2 est complètement en parallèle sur R3, c'est à dire quand le potentiomètre RV1, monté en résistance variable, et en position de résistance minimale (curseur vers R3). Le gain est minimal quand le curseur est du côté de C2.
La sortie amplifiée s'effectue par le condensateur de liaison C3 de 4,7 uF, sur lequel est placé en parallèle un second condensateur C4 de 6,8 nF. Ce deuxième condensateur de plus faible valeur contribue à laisser passer un peu plus d'aigus. Si vous trouvez cela gênant, supprimez-le tout simplement et laissez seulement en place le condensateur C3. La résistance R5 située en fin de circuit et câblée diretement en parallèle sur la sortie n'est pas spécialement indispensable. Elle permet de limiter le risque de plop quand on branche ou débranche la sortie du préampli, en fixant le potentiel des condensateurs C3 et C4 à une valeur connue (ici de zéro volt puisque R5 est reliée à la masse).
Il existe plusieurs façons de réaliser un bypass, mettant à l'arrêt le préampli et autorisant le passage direct de l'entrée vers la sortie, évitant ainsi le décablage des cordons BF quand on ne veut pas utiliser l'appareil. Les différentes méthodes sont décrites à la page Bypass des effets
(considérez que ce préampli est un effet).
Bien le bonjour ! Au moins 3 brochages recensés, selon les fabricants et leur datasheet ! Le brochage le plus répendu semble être le (2), utilisé par Siemens, Fairchild et Motorola.
Quitte à indiquer le brochage du BF245, autant rappeler celui de quelques FET qui pourraient éventuellement être utilisés en remplacement, moyennant l'ajustement de la valeur des résistances R3 et R4 (voir paragraphe prototype). Mais attention aux brochages, qui diffèrent largement d'un modèle de FET à l'autre !
Voir aussi la page concernant le brochage des transitors.
Réalisé sur plaque sans soudure, avec plusieurs types de FET.
J'ai refait le prototype d'après l'ancien schéma utilisant une résistance de 10 kO pour R4. Conformément à la remarque de Matthieu (voir paragraphe Corrections et remarques, date du 07/08/2011), le montage n'apportait aucun gain et au contraire atténuait le signal d'entrée. J'ai mis en parallèle de R4 une seconde résistance de 10 kO (résistance de drain équivalente à 5 kO) et hop, retour à la normale - petite erreur de ma part lors de la saisie du schéma. Ayant corrigé cette erreur, j'e me suis dit qu'il serait sans doute intéressant d'en profiter et de ressortir d'autres FET que j'avais en stock et de voir ce que ça donnait. J'ai donc effectué quelques mesures avec des BF245B, BF256, BF256B, BF244, BF246, 2N5458, 2N5459, J310 et J112. Le signal BF appliqué à l'entrée du préampli était à chaque fois une sinus de fréquence 1 kHz et d'amplitude 100 mV cac (crête à crête).
Non réalisé.
07/08/2011
- Diminution de la valeur de R4 (résistance drain du FET) à 5,1 kO.
L'ancienne valeur de 10 kO conduisait à un gain trop faible,
voire une atténuation - ce qui n'est pas vraiment l'effet attendu de ce
montage. Merci à Matthieu d'avoir pris le temps de m'écrire pour me
faire part du problème. Pourquoi avais-je mis une 10 kO ? A mon avis,
j'ai simplement oublié de changer la valeur de la résistance après
l'avoir placée sur le dessin, et la valeur par défaut fixée par le
logiciel de dessin étant de 10 kO...
- J'en profite pour rappeler que la dispersion des caractéristiques
chez les transistors FET est bien plus grande que chez les transistors
bipolaires, et que le simple fait de changer le FET par un autre FET de
même modèle et même série peut très bien conduire à un gain allant du
simple au double. Je l'ai constaté plusieurs fois, pas de doute à ce
sujet ! Ce n'est pas pour rien d'ailleurs que dans certains schémas à
base de FET on trouve plusieurs potentiomètres ajustables en lieu et
place de résistances qui auraient pu être fixes.